STB200NF04L-1

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भाग संख्या	STB200NF04L-1
उत्पादक	STMicroelectronics
विवरण	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

~~In Stock~~ 50141 pcs
संदर्भ मूल्य (अमेरिकी डॉलर में)	1000 pcs
संदर्भ मूल्य (अमेरिकी डॉलर में)	$0.738

उत्पाद पैरामीटर
विवरण तालिका

Product parameter

भाग संख्या	STB200NF04L-1	उत्पादक	STMicroelectronics
विवरण	MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK	लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा	50141 pcs	विवरण तालिका	ST(B,P)200NF04(-1)
वर्ग	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद	वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±16V	प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	I2PAK	शृंखला	STripFET™ II
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.8 mOhm @ 50A, 10V	शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	300W (Tc)
पैकेजिंग	Tube	पैकेज / प्रकरण	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
दुसरे नाम	497-6190-5	परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Lead free / RoHS Compliant	इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	6400pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	90nC @ 4.5V	FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-	ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	40V	विस्तृत विवरण	N-Channel 40V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	120A (Tc)

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