EPC2103
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| भाग संख्या | EPC2103 |
|---|---|
| उत्पादक | EPC |
| विवरण | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| संदर्भ मूल्य (अमेरिकी डॉलर में) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 250 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.346 | $3.011 | $2.744 | $2.476 | $2.275 | |
- उत्पाद पैरामीटर
- विवरण तालिका
Product parameter
| भाग संख्या | EPC2103 | उत्पादक | EPC |
|---|---|---|---|
| विवरण | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
| उपलब्ध मात्रा | 15301 pcs | विवरण तालिका | EPC2103 Datasheet |
| वर्ग | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद | वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2.5V @ 7mA |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | Die | शृंखला | eGaN® |
| आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 5.5 mOhm @ 20A, 5V | पावर - मैक्स | - |
| पैकेजिंग | Cut Tape (CT) | पैकेज / प्रकरण | Die |
| दुसरे नाम | 917-1183-1 | परिचालन तापमान | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 14 Weeks | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 760pF @ 40V | गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 6.5nC @ 5V |
| FET प्रकार | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET फ़ीचर | GaNFET (Gallium Nitride) |
| स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 80V | विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A Surface Mount Die |
| वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 28A |
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- अंश#:
EPC2101ENGRT - निर्माता:
EPC - विवरण:
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID - स्टॉक में:
13936
