STH110N10F7-6
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भाग संख्या | STH110N10F7-6 |
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उत्पादक | STMicroelectronics |
विवरण | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
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- विवरण तालिका
Product parameter
भाग संख्या | STH110N10F7-6 | उत्पादक | STMicroelectronics |
---|---|---|---|
विवरण | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 | लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस | लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप |
उपलब्ध मात्रा | 4379 pcs | विवरण तालिका | STH110N10F7-2,-6 |
वर्ग | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद | वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 4.5V @ 250µA |
वीजीएस (मैक्स) | ±20V | प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | H2PAK-6 | शृंखला | DeepGATE™, STripFET™ VII |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 6.5 mOhm @ 55A, 10V | शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 150W (Tc) |
पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) | पैकेज / प्रकरण | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
दुसरे नाम | 497-13837-2 | परिचालन तापमान | -55°C ~ 175°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 5117pF @ 50V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 72nC @ 10V | FET प्रकार | N-Channel |
FET फ़ीचर | - | ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 100V | विस्तृत विवरण | N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 110A (Tc) |
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