STS9P2UH7

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भाग संख्या	STS9P2UH7
उत्पादक	STMicroelectronics
विवरण	MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

~~In Stock~~ 5308 pcs
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विवरण तालिका

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भाग संख्या	STS9P2UH7	उत्पादक	STMicroelectronics
विवरण	MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC	लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस	लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा	5308 pcs	विवरण तालिका	STS9P2UH7
वर्ग	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद	वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±8V	प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SO	शृंखला	STripFET™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V	शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2.7W (Tc)
पैकेजिंग	Tape & Reel (TR)	पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
दुसरे नाम	497-15155-2	परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति	Lead free / RoHS Compliant	इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2390pF @ 16V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	22nC @ 4.5V	FET प्रकार	P-Channel
FET फ़ीचर	-	ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.5V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	20V	विस्तृत विवरण	P-Channel 20V 9A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	9A (Tc)

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